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可控硅整流器的結構以及優勢

可控硅整流器，是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎，以智能數字控制電路為核心的電源功率控制電器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優點。
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱，又稱作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被簡稱為可控硅。由于其能承受的電壓和電流容量仍然是目前電力電子器件中*高的，而且工作可靠，因此在大容量的應用場合仍然具有比較重要的地位。
可控硅整流器的特點：是“一觸即發”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的*小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。
自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
二極管，可控硅，IGBT有什么區別？二極管不用說了吧，單向導通，可以實現整流；
可控硅也叫晶閘管，分雙向和單向，單向可控硅也是單向導通，可以實現整流，但它通過控制導通角可以實現可控整流程IGBT:絕緣柵場效應晶體管，作用類似三極管，但在這里當開關管用（不能用于放大狀態），通過控制G極可以實現C,E兩端的通斷。一般可用在逆變回路中。 IGBT是一種全控型電壓驅動半導體開關，開通和關斷可控制；可控硅需要電流脈沖驅動開通，一旦開通，通過門極無法關斷，需要主電路電流關斷或很小才能關斷。

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